FSMC—扩展外部SRAM

STM32F407ZGT6 自带了 192K 字节的 SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32F4 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太够用，所以探索者 STM32F4 开发板板载了一颗 1M 字节容量的 SRAM 芯片： XM8A51216。

1、SRAM控制原理

拓展内存时一般选择SRAM和SDRAM两种，但是stm32F407不支持拓展SDRAM（stm32F429系列支持），芯片使用FSMC外设拓展SRAM。

SRAM（静态随机存储器）和SDRAM（同步动态随机存储器）。

SRAM：静态存储器，使用触发器来存储数据。只要保持通电，数据就不会丢失，无需刷新。
SDRAM：动态随机存储器。使用电容器存储数据，与系统时钟同步操作，需要定期的刷新以保持数据。
SRAM：使用六个晶体管称为一个存储单元，通过触发器保持状态。
SDRAM：每个存储由一个电容器和一个晶体管组成，依靠电容器存储的电荷来存储数据，需要定期充电保持数据。

XM8A51216简介

在我们使用的是XM8A51216的SRAM芯片内部结构框图。以他为模型学习。

国产SRAM芯片具有最高10/12ns的访问速度。
具备低功耗
TTL电容兼容
- TTL：晶体管-晶体管逻辑。一种逻辑电平标准。
  TTL定义逻辑高和逻辑低电平的范围。高电平是2.4-5V，低电平是0-0.8V。
三态输出。
- 三态表示：高电平、低电平、高阻抗（既不输出高、也不输出低）。
- 作用：当多个设备连接一天总线时，通过控制三态输出端使能端，当一个设备输出时，其他设备设置高阻抗，不干扰总线数据传输。
- 这允许多个存储器芯片或其他设备共享同一组数据线，从而减少了电路板上的布线数量。
全静态操作，不需要刷新
字节控制功能，可以读取16位、8位数据。

1、SRAM信号线

第一张图是芯片内部结构框图，其说明表如下图。

SRAM的控制比较简单，只要使能控制信号，从地址从线输入要访问的地址，就可以读写数据。

2、存储矩阵

框图中标记号表示存储矩阵，这个SRAM芯片的内部空间大小为512*16（bits），即1M字节容量16位宽的静态内存芯片。

SRAM内部包含的存储阵列，可以把它理解成一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就可以精确地找到目标单元格，这是SRAM芯片寻址的基本原理。这样的每个单元格被称为存储单元，而这样的表则被称为存储矩阵。

3、地址编译器、列I/o及I/O数据电路

地址编译器把N条地址线转换为2N根信号线，每根地址线对应着一列或着一行存储单元，通过地址线找到具体的存储单元。如果存储矩阵比较大，地址会分为列地址线、行地址线，或者行、列地址线会复用一条地址线，访问数据寻址时会先用地址线传输行地址再传输列地址。

我们这次使用的SRAM比较小，没有列地址线，只有行地址线。再图中我们看到数据线为0-15，传输16位数据，则就是2字节。地址线是0-18，经过转换就是2^18=2^8x1024=512K行存储单元。所以总共是512*16bits空间大小。

例如，当要访问宽度为16位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把UB#和LB#线都设置为低电平，那么I/O0-I/O15线都有效，它们一起输出该地址的16位数据(或者接收16位数据到该地址)；当要访问宽度为8位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把UB#或LB#其中一个设置为低电平，I/O会对应输出该地址的高8位和低8位数据，因此它们被称为数据掩码信号。

4、控制电路

控制电路包括了片选、读写使能、上面提到的数据宽度控制信号UB、LB。

利用片选信号可以把多个SRAM组成一个大容量的内存条。

OE、WE可以控制读写使能，防止误操作。

5、SRAM的读写流程

对SRAM进行读写数据时，它各个信号线的时序流程图如图。

读写时序的流程：

主机使能地址信号线，发送要访问的存储器地址。
控制片选信号CS1、CS2，使能存储芯片
若进行读操作，则控制读使能信号OE；若进行写操作，则控制写使能信号WE。
使用掩码LB与UB指示访问目标的高、低字节。
若读取过程中，存储去会通过数据线像主机输出目标数据；若写入过程，主要使用数据像存储器传输木目标。

2、FSMC简介

STM32F407系列芯片使用FSMC外设来管理扩展的存储器， FSMC是Flexible Static Memory Controller的缩写，译为灵活的静态存储控制器。它可以用于驱动包括SRAM、NOR FLASH以及NANDFLSAH类型的存储器，不能驱动如SDRAM这种动态的存储器而在STM32F429系列的控制器中，它具有FMC外设，支持控制SDRAM存储器。

FSMC 具有四个芯片选择输出（NE1-NE4），允许 STM32F407 与最多四个外部存储设备接口。FSMC 为外部存储器提供了一个专用的地址空间，通常从 0x60000000 开始，

FSMC 的内存映射特性简化了对外部存储器的访问，因为可以像访问内部存储器位置一样，使用微控制器的标准加载和存储指令来处理它

FSMC框图解析

1、通讯引脚

在框图的右侧是FSMC外设相关的控制引脚，由于控制不同类型存储器的时候会有一些不同的引脚，看起来有非常多，其中地址线FSMC_A和数据线FSMC_D是所有控制器都共用的。这些FSMC引脚具体对应的GPIO端口及引脚号可在《STM32F4xx规格书》中搜索查找到，不在此列出。针对本示例中的SRAM控制器，我们整理出以下的FSMC与SRAM引脚对照表 FSMC中的SRAM控制信号线。

其中比较特殊的FSMC_NE是用于控制SRAM芯片的片选控制信号线，STM32具有FSMC_NE1/2/3/4号引脚，不同的引脚对应STM32内部不同的地址区域。例如，当STM32访问0x6C000000-0x6FFFFFFF地址空间时，FSMC_NE3引脚会自动设置为低电平，由于它连接到SRAM的CE#引脚，所以SRAM的片选被使能，而访问0x60000000-0x63FFFFFF地址时，FSMC_NE1会输出低电平。当使用不同的FSMC_NE引脚连接外部存储器时， STM32访问SRAM的地址不一样，从而达到控制多块SRAM芯片的目的。各引脚对应的地址会在后面“FSMC的地址映射”小节讲解。

2、存储器控制器

上面不同类型的引脚是连接到FSMC内部对应的存储控制器中的。NOR/PSRAM/SRAM设备使用相同的控制器，NAND/PC卡设备使用相同的控制器，不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式。

控制SRAM的有FSMC_BCR1/2/3/4控制寄存器、FSMC_BTR1/2/3/4片选时序寄存器以及FSMC_BWTR1/2/3/4写时序寄存器。每种寄存器都有4个，分别对应于4个不同的存储区域，各种寄存器介绍如下：

FSMC_BCR控制寄存器可配置要控制的存储器类型、数据线宽度以及信号有效极性能参数。
FMC_BTR时序寄存器用于配置SRAM访问时的各种时间延迟，如数据保持时间、地址保持时间等。
FMC_BWTR写时序寄存器与FMC_BTR寄存器控制的参数类似，它专门用于控制写时序的时间参数。

3、时钟控制逻辑

FSMC外设挂载在AHB总线上，时钟信号来自于HCLK(默认168MHz)，控制器的同步时钟输出就是由它分频得到。例如，NOR控制器的FSMC_CLK引脚输出的时钟，它可用于与同步类型的SRAM芯片进行同步通讯，它的时钟频率可通过FSMC_BTR寄存器的CLKDIV位配置，可以配置为HCLK的1/2或 1/3，也就是说，若它与同步类型的SRAM通讯时，同步时钟最高频率为84MHz。本示例中的SRAM为异步类型的存储器，不使用同步时钟信号，所以时钟分频配置不起作用。

4、FSMC地址映射

FSMC连接好外部的存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据，这种地址访问与I2C EEPROM、SPI FLASH的不一样，后两种方式都需要控制I2C或SPI总线给存储器发送地址，然后获取数据；在程序里，这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储，并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令。而使用FSMC外接存储器时，其存储单元是映射到STM32的内部寻址空间的；在程序里，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单元的内容，FSMC外设会自动完成数据访问过程，读写命令之类的操作不需要程序控制。FSMC的地址映射见图 FSMC的地址映射。

图中左侧的是Cortex-M4内核的存储空间分配，右侧是STM32 FSMC外设的地址映射。可以看到FSMC的NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH以及PC卡的地址都在ExternalRAM地址空间内。正是因为存在这样的地址映射，使得访问FSMC控制的存储器时，就跟访问STM32的片上外设寄存器一样(片上外设的地址映射即图中左侧的“Peripheral”区域)。

FSMC把整个External RAM存储区域分成了4个Bank区域，并分配了地址范围及适用的存储器类型，如NOR及SRAM存储器只能使用Bank1的地址。在每个Bank的内部又分成了4个小块，每个小块有相应的控制引脚用于连接片选信号，如FSMC_NE[4:1]信号线可用于选择BANK1内部的4小块地址区域，见图 Bank1内部的小块地址分配，当STM32访问0x6C000000-0x6FFFFFFF地址空间时，会访问到Bank1的第4小块区域，相应的FSMC_NE3信号线会输出控制信号。

5、FSMC控制SRAM的时序

FSMC外设支持输出多种不同的时序以便于控制不同的存储器，它具有ABCD四种模式，下面我们仅针对控制SRAM使用的模式A进行讲解，见图 FSMC模式A的读时序及图 FSMC模式A的写时序。

当内核发出访问某个指向外部存储器地址时，FSMC外设会根据配置控制信号线产生时序访问存储器，上图中的是访问外部SRAM时FSMC外设的读写时序。

以读时序为例，该图表示一个存储器操作周期由地址建立周期(ADDSET)、数据建立周期(DATAST)以及2个HCLK周期组成。

在地址建立周期中，地址线发出要访问的地址，
数据掩码信号线指示出要读取地址的高、低字节部分，
片选信号使能存储器芯片；
地址建立周期结束后读使能信号线发出读使能信号，
接着存储器通过数据信号线把目标数据传输给FSMC，FSMC把它交给内核。

写时序类似，区别是它的一个存储器操作周期仅由地址建立周期(ADDSET)和数据建立周期(DATAST)组成，且在数据建立周期期间写使能信号线发出写信号，接着FSMC把数据通过数据线传输到存储器中。

6、代码

FSMC初始化

void FSMC_SRAM_Init(void)
{
	GPIO_InitTypeDef  				GPIO_InitStructure;
	FSMC_NORSRAMInitTypeDef  		FSMC_NORSRAMInitStructure;
	FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  	readWriteTiming; 
	
	XmRamInit();                //初始化XMRAM 20191024
	delay_us(100);

	RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOB|RCC_AHB1Periph_GPIOD|RCC_AHB1Periph_GPIOE|RCC_AHB1Periph_GPIOF|RCC_AHB1Periph_GPIOG, ENABLE);//使能PD,PE,PF,PG时钟  
	RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟  


	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_15;//PB15 推挽输出,控制背光
	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;//普通输出模式
	GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;//100MHz
	GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
	GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure);//初始化 //PB15 推挽输出,控制背光

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(3<<4)|(0XFF<<8);//PD0,1,4,5,8~15 AF OUT
	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
	GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
	GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);//初始化  

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(0X1FF<<7);//PE0,1,7~15,AF OUT
	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
	GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
	GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);//初始化  

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (0X3F<<0)|(0XF<<12); 	//PF0~5,12~15
	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
	GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
	GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);//初始化  

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin =(0X3F<<0)| GPIO_Pin_10;//PG0~5,10
	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
	GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
	GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);//初始化 


	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC); 
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC); 
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource11,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PD15,AF12

	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource7,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource11,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PE15,AF12

	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PF0,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PF1,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource2,GPIO_AF_FSMC);//PF2,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);//PF3,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);//PF4,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);//PF5,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);//PF12,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);//PF13,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);//PF14,AF12
	GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PF15,AF12

	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource2,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
	
 	  
 	readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0;	 			//地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns 
	readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0;				//地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到	
	readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 12;		 		//数据保持时间（DATAST）为13个HCLK 6*13=117ns		 	 
	readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
	readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
	readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
	readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;	 //模式A 
	
	

	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM   
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; 
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;	//存储器写使能 
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序

	FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

 	FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK1区域3	
}

GPIO初始化：配置了多个 GPIO 引脚的工作模式、输出类型、速度和上下拉状态。这些引脚将用作 SRAM 的地址线、数据线和控制线。
GPIO复用功能配置：将配置好的 GPIO 引脚连接到 FSMC 外设的相应功能。

  readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0;                 //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns
      readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0;                //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
      readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 12;                 //数据保持时间（DATAST）为13个HCLK 6*13=117ns
      readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
      readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
      readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
      readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;     //模式A
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    * 配置FSMC的读写时序。定义了在惊醒SRAM读写时，地址线和数据线和控制信号之间的时序。
    * FSMC_AddressSetupTime = 0;
        * 设置地址建立时间为0个HCLK周期。
        * 地址建立时间是指在使能控制信号之前，地址信号必须保持稳定。
    * `FSMC_AddressHoldTime = 0;`:
        * 设置地址保持时间为0个HCLK周期。
        * 地址保持时间是指在禁用控制信号之后，地址信号必须保持稳定的时间。
    * FSMC_DataSetupTime = 12;
        * 设置数据建立时间 (DATAST) 为 12 个 HCLK 周期。
        * 数据建立时间是指在读取操作期间，数据信号在被微控制器采样之前必须保持稳定的时间。
    * `FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;`: 设置总线周转时间，在非复用总线模式下通常设置为 0。
    * `FSMC_CLKDivision = 0x00;`: 设置时钟分频因子，在异步模式下通常设置为 0。
    * `FSMC_DataLatency = 0x00;`: 设置数据延迟，在异步模式下通常设置为 0。
    * `FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;`: 选择 FSMC 的访问模式为模式 A。不同的访问模式定义了不同的时序行为。

* ```
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;	//存储器写使能
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
    	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序
    
    	FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置
    
     	FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK1区域3
    }


  * 选择 FSMC Bank 1 的第三个 NOR/SRAM 区域 (NE3)。

  * `FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;`: 禁用数据线和地址线的复用模式，因为 SRAM 通常使用独立的地址线和数据线。

  * `FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;`: 设置存储器类型为 SRAM。

  * `FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;`: 设置存储器的数据宽度为 16 位

  * `FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;`: 禁用突发访问模式。

      `FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;`: 设置等待信号的极性（如果使用）。

      `FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;`: 禁用异步等待模式。

      `FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;`: 禁用回绕模式。

      `FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;`: 设置等待信号激活的时间（如果使用）。

      `FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;`: 使能对 SRAM 的写操作。

      `FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;`: 禁用等待信号。

      `FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;`: 禁用扩展模式，这意味着读写操作使用相同的时序配置。

      `FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;`: 禁用写突发模式。

      `FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;`: 将之前配置的读写时序参数结构体赋值给 FSMC 初始化结构体。

      `FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;`: 由于禁用了扩展模式，写操作也使用相同的时序配置。

      `FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);`: 使用配置好的参数初始化 FSMC 外设。

      `FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);`: 使能 FSMC Bank 1 的第三个区域，激活与该区域连接的外部 SRAM 芯片，使其可以被微控制器访问。

流程

一、硬件连接准备：

连接地址线： 将 STM32F407 的 FSMC 地址线引脚（例如 A0-A18）与 IS62WV51216 SRAM 芯片的对应地址引脚连接。IS62WV51216 是 512K x 16 位，需要 19 根地址线。
连接数据线： 将 STM32F407 的 FSMC 数据线引脚（D0-D15）与 IS62WV51216 SRAM 芯片的对应数据引脚连接，实现 16 位的数据传输。
连接片选信号： 将 STM32F407 的一个 FSMC Bank 选择引脚（例如 NE3）与 IS62WV51216 SRAM 芯片的片选信号引脚（CS# 或 CE#）连接。
连接读使能信号： 将 STM32F407 的 FSMC 读使能引脚（NOE）与 IS62WV51216 SRAM 芯片的读使能引脚（OE# 或 RD#）连接。
连接写使能信号： 将 STM32F407 的 FSMC 写使能引脚（NWE）与 IS62WV51216 SRAM 芯片的写使能引脚（WE# 或 WR#）连接。
连接字节控制信号： 将 STM32F407 的 FSMC 字节控制引脚（NBL0 和 NBL1）与 IS62WV51216 SRAM 芯片的字节控制引脚（LB# 和 UB#）连接，以支持按字节读写。
电源和地： 确保 STM32F407 和 IS62WV51216 SRAM 芯片的电源和地线连接正确。

二、软件初始化流程 (概念性描述)：

使能时钟： 在 STM32F407 的初始化代码中，需要使能 FSMC 外设的时钟以及所有与 SRAM 连接的 GPIO 端口的时钟。
配置 GPIO： 对于所有连接到 SRAM 的 STM32F407 引脚，将其配置为“复用功能 (Alternate Function)”模式。同时设置合适的输出类型（通常为推挽）、输出速度（建议设置为高速或极高速以满足 SRAM 的时序要求）和上拉/下拉电阻（通常使用上拉）。选择与 FSMC 外设对应的复用功能（一般是 AF12）。
配置 FSMC Bank：

选择一个 FSMC Bank（例如 Bank 1 的第三个子 Bank，对应 NE3 引脚）来连接 IS62WV51216。对该 Bank 进行如下配置：
- 存储器类型： 设置为 SRAM。
- 数据/地址复用： 禁用，因为 SRAM 使用独立的地址线和数据线。
- 存储器数据宽度： 设置为 16 位，与 IS62WV51216 的数据宽度匹配。
- 突发访问模式： 通常禁用，因为 IS62WV51216 是异步 SRAM。
- 等待信号： 禁用，因为这是一个异步 SRAM。
- 写使能： 启用，允许向 SRAM 写入数据。
- 扩展模式： 通常禁用，以便读写操作使用相同的时序配置。
配置 FSMC 时序：

这是驱动 SRAM 的关键步骤，需要根据 IS62WV51216 的数据手册进行配置。主要配置以下参数：
- 地址建立时间 (Address Setup Time)： 设置地址信号在读/写使能信号有效之前需要保持稳定的时间，以 HCLK 时钟周期为单位。
- 地址保持时间 (Address Hold Time)： 设置地址信号在读/写使能信号无效之后需要保持稳定的时间，以 HCLK 时钟周期为单位。
- 数据建立时间 (Data Setup Time)：
  - 读取时： 设置在读使能信号有效后，SRAM 输出的数据需要保持稳定的时间，以便 FSMC 正确采样，以 HCLK 时钟周期为单位。
  - 写入时： 设置在写使能信号有效后，STM32F407 输出的数据需要保持稳定的时间，以确保 SRAM 正确写入，以 HCLK 时钟周期为单位。
- 根据 IS62WV51216 的访问速度（最高 10/12ns），结合 STM32F407 的时钟频率，合理设置这些时序参数。
初始化 FSMC： 使用配置好的参数初始化 FSMC 外设。
使能 FSMC Bank： 启用所选的 FSMC Bank，使得外部 SRAM 可以通过 STM32F407 的内存映射地址空间进行访问。

三、读写数据流程：

内存映射： 完成 FSMC 初始化后，外部 SRAM 会被映射到 STM32F407 的一块特定的内存地址空间。例如，如果使用 Bank 1 的第三个子 Bank，起始地址通常是 0x68000000。
写入数据： 要向 SRAM 写入数据，只需要像操作 STM32F407 内部内存一样，向 SRAM 映射的地址执行写操作。例如，要向地址 0x68000000 + 0x1000 写入一个 16 位的数据 0xABCD，您只需要在代码中执行类似于 *(volatile uint16_t*)(0x68000000 + 0x1000) = 0xABCD; 的操作。FSMC 硬件会自动产生相应的控制信号（片选、写使能）和时序来完成写入过程。
读取数据： 要从 SRAM 读取数据，同样只需要像操作内部内存一样，从 SRAM 映射的地址执行读操作。例如，要从地址 0x68000000 + 0x1000 读取一个 16 位的数据，您可以执行类似于 uint16_t data = *(volatile uint16_t*)(0x68000000 + 0x1000); 的操作。FSMC 硬件会自动产生相应的控制信号（片选、读使能）和时序来完成读取过程，并将读取到的数据返回给您的程序。
字节控制： 如果需要进行字节级别的读写，您可以使用 8 位的数据类型（uint8_t）并配合 FSMC 的字节控制信号（NBL0 和 NBL1）。当您访问奇数地址或偶数地址时，FSMC 会自动激活相应的字节使能信号，从而实现对 SRAM 特定字节的操作。